№ п/п

Наименование испытываемой продукции

Коды

Обозначение

нормативного

документа

ЕКПС

ОКП

1

2

3

4

5

1

Полупроводниковые приборы:

5961

634011000

634012000

634014000

634100000

634200000

ГОСТ В 28146-89
ОСТ В 11 336.018-82

Технические условия на изделия

1.1

Мощные переключательные МДП транзисторы

Максимальное напряжение сток-исток, В – до 1200

Ток стока, А – до 50

1.2

Мощные СВЧ МДП

транзисторы

Рабочая частота, ГГц – до 2

Выходная мощность, Вт – до 200

1.3

Мощные импульсные

биполярные СВЧ транзисторы

Рабочая частота, ГГц – до 10

Выходная импульсная мощность, Вт –

до 1000

Выходная непрерывная мощность, Вт –

до 100

Длительность импульса, мс – до 3

1.4

СВЧ транзисторы на материалах типа А₃В₅:

Мощные транзисторы:

Выходная мощность, Вт – до 25

Рабочая частота, ГГц – до 60

Малошумящие транзисторы:

Рабочая частота, ГГц– до 37

Коэффициент шума, дБ – до 0,5

2

Интегральные микросхемы:

5962

633000000

633100000

633900000

633300000

ОСТ В 11 073.041-82

ОСТ В 11 073.067-82

ОСТ В 11 0398-2000

Технические условия на изделия

2.1

Драйверы

Выходное напряжение высокого уровня, В – для БИС1 – 38, для БИС2 – 20

Выходное напряжение низкого уровня В – для БИС1 – 2, для БИС2 – 2

Ток потребления, мкА –

для БИС1 – 200, для БИС2 -100

2.2

Компараторы

Напряжение смещения нуля, мВ – не более 10

Коэффициент подавления входного синфазного сигнала, дБ – не более 65

Диапазон входного синфазного напряжения, В – не более 3

2.3

Коммутаторы

Выходное напряжение низкого уровня В –

не более 0,4

Выходное напряжение высокого уровня, В –

не менее 4,5

2.4

Операционные усилители

Макс. выходное напряжение, В – не менее 2,5

Полоса пропускания, МГц – 60

Максимальная скорость нарастания

выходного напряжения, В/мкс – не менее 150