Подведены итоги первого дня работы Всероссийской научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА» «ПУЛЬСАР-2013».

Конференция проходит на территории научно-производственного предприятия "Пульсар" с 24 по 25 октября 2013 года.
 
В первый день работы конференции с приветственным словом к участникам обратился первый заместитель генерального директора Крымко Михаил Миронович.

krym2var

Пленарное заседание. Большой конференц-зал.

О создании электронных кластеров в холдинговой компании ОАО
«Российская электроника»

А.В. Брыкин, К.А. Колегов (ОАО «Российская электроника», г. Москва)

2kollegov

Константин Алексеевич Коллегов
Руководитель департамента стратегического развития и программ ОАО "Российская электроника"
Электроника «НПП «Пульсар»

М.М. Крымко (ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

История, состояние дел и перспективы развития в ОАО «НПП «Пульсар» разработки и производства СВЧ модулей для наземной и бортовой радиолокационной аппаратуры

А.С. Евстигнеев (ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

3evstigneev

Евстигнеев Андрей Семенович
Заместитель генерального директора по инновационной продукции

Многофункциональные блоки высокого уровня мощности см-диапазона на GaN HEMT

Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев (ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

4kolk

Колковский Юрий Владимирович
Заместитель генерального директора по научной работе

Об основных направлениях развития СВЧ МИС и субмодулей СВЧ в ОАО «НПП «Пульсар»

Е.М. Савченко1, 2, А.С. Будяков1,3 (1– ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва, 2 - МГТУ МИРЭА, г. Москва, 3 – МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Москва

5savch

Савченко Евгений Матвеевич
Начальник центра проектирования

Технология проектирования, измерений и испытаний радиационно-стойких изделий

твердотельной СВЧ-электроники – новые возможности.

В.А. Телец, В.В. Елесин
Институт экстремальной прикладной электроники (ИЭПЭ) НИЯУ МИФИ

6elesin

Елесин Вадим Владимирович
Ведущий научный сотрудник ИЭПЭ НИЯУ МИФИ

002

Кофе-пауза

003

004

005

006

007

Далее материалы конференции обсуждались по трем секциям:

секция № 1 «СВЧ твердотельная электроника» - большой конференц-зал

секция № 2 «Микро-, фото- и силовая электроника» - малый конференц-зал

секция № 3 «Вопросы качества и надежности в разработках и производстве» - ВИП-зал

секция № 1

СВЧ твердотельная электроника

Руководители секции: д.т.н., профессор Ю.В. Колковский,к.т.н. А.С. Евстигнеев

Большой конференц-зал

Перспективы развития полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием во ФГУП «НПП «ИСТОК»

А.А. Борисов1, С.В. Щербаков1, В.М. Лукашин1, А.Б. Пашковский1, В.Г. Лапин1,

К.С. Журавлев2, А.И. Торопов2

1 - ФГУП «НПП «Исток», г. Фрязино, Московская обл.

2 - Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, г. Новосибирск

Анализ влияния толщины барьерного слоя и технологии изготовления на шумовые параметры HEMT AlGaN/GaN в Ka-диапазоне частот

Ю.В. Фёдоров, С.В. Михайлович, Р.Р. Галиев, М.Ю. Щербакова

Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН, г. Москва

Первые отечественные СВЧ транзисторы на основе гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN, выращенных на подложках кремния

А.А. Арендаренко1 , В.А. Орешкин1, Ю.Н. Свешников1, И.Н. Цыпленков1, В.И. Егоркин2, В.Е. Земляков2, В.В. Волков3, В.Н. Вьюгинов3

1 - ЗАО «Элма-Малахит», г. Зеленоград

2 - НИУ «МИЭТ», г. Зеленоград

3 - ЗАО «Светлана-Электронприбор», г. Санкт-Петербург

Мощные СВЧ полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе
арсенида галлия

В.С. Арыков, Е.В. Ерофеев, А.В. Кондратенко, М.В. Степаненко, Д.С. Хохол,

Д.А. Шишкин

НПК «Микроэлектроника» ЗАО «НПФ «Микран», г. Томск

Арсенид галлиевые диоды с барьером Шоттки для твердотельных генераторов шума

В.В. Вейц, Г.З. Гарбер, А.В. Черных, И.М. Аболдуев

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Температурная зависимость параметров СВЧ мощных полевых транзисторов на основе нитрида галлия и алмаза

И.М. Аболдуев, Г.З. Гарбер, А.М. Зубков, К.А. Иванов, Ю.В. Колковский,

В.Д. Красильников, В.М. Миннебаев

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Лавинная инжекция в мощных полевых транзисторах

Я.Б. Мартынов, А.Б. Пашковский, Э.В. Погорелова

ФГУП «НПП «Исток», г. Фрязино, Московская обл.

сессия № 2

Влияние дизайна пластины с гетероструктурой AlGaN/GaN на конструкцию и технологию мощного СВЧ транзистора

А.М. Коновалов, В.В. Пищагин, М.В. Пашков

ОАО «Государственный Завод «Пульсар», г. Москва

Проблема сложения мощности в многокристальном полевом транзисторе L диапазона

В.Л. Аронов, С.М. Романовский

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Программа для двумерного моделирования работы ПТШ

В.Д. Красильников, К.А. Иванов

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Перспективы повышения выходной мощности в мощных СВЧ кремниевых биполярных транзисторах при использовании высокотемпературного фотополимера

В.И. Диковский, П.В. Таран

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Перспективы создания широкополосных мощных усилительных трактов
L-диапазона на кремниевых транзисторах

В.Л. Аронов, Д.А. Евстигнеев

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Особенности проектирования мощных усилителей длинноимпульсных сигналов для РЭС

А.Н. Алташин, А.П. Герасименко

ОАО «Радиотехнический институт имени академика А.Л. Минца» (ОАО РТИ),
г. Москва

8-канальный радиочастотный передающий модуль с цифровым синтезом сигналов

В.В. Леонидов1, А.А. Евстигнеев1, Г.С. Колчин1, И.Б. Гуляев1, А.А. Лапшин1, А.Н. Гусев2

1 -ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

2 - ЗАО «НПФ «Микран», г. Томск

 

Длинноимпульсный 300-ваттный приемо-передающий модуль АФАР Х-диапазона на широкозонных полупроводниках

О.В. Борисов, Д.И. Громов, Ю.В. Колковский, А.А. Осиповский, А.В. Перевезенцев,

В.А. Плетнев, Ан.В. Редька, Ал.В. Редька

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

подведение итогов 1 дня работы секции № 1 (15 докладов)

123

456

89

101112

131415

1617

СЕКЦИЯ № 2

Опто-, микро- и силовая электроника

Руководители секции: к.т.н. М.М. Крымко,к.т.н. А.С. Скрылев

Малый конференц-зал

 

сессия № 1

Матричные ВЗН ФПЗС и ФПУ на их основе

М.Е. Гусев, А.А. Клинов, Е.В. Костюков, А.М. Маклаков, А.Г. Мордовский,

В.Ю. Ноженко, А.С. Скрылёв

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Линейные ФПЗС и ФПУ на их основе

Ю.А. Боброва, М.Е. Гусев, Е.В. Костюков, А.М. Маклаков, А.Г. Мордовский,

А.С. Скрылёв, С.В. Трунов

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

СФ-блок многоканального АЦП для КМОП матричных фотоприемников

А.А. Шнякин 2, А.O. Балбеков 2, Д.В. Бородин 1, Ю.В.Осипов 1, Е.Ф. Певцов2,

А.С. Скрылев1

1 - ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва, 2 - МГТУ МИРЭА, г. Москва

СФ-блок управления в составе КМОП СБИС матричных фотоприемников видимого диапазона формата до 1024х1024 ячеек

Ю.В. Осипов1, Д.В. Бородин1, В.В. Васильев2

1 -ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва
2 -ООО «РТК Инпекс», г. Мытищи, Московская обл.

Модификации матричных ФПЗС с межстрочным переносом и ФПУ на их основе

Ю.В. Брашеван, М.Е. Гусев, Д.С. Ельников, П.Б. Константинов, Е.В. Костюков,

А.М. Маклаков, А.Г. Мордовский, А.С. Скрылёв, В.В. Чернокожин

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Разработка ПЗС с вертикальным антиблумингом с помощью средств приборно-технологического моделирования

Е.В. Костюков, Ю.В. Брашеван, А.М. Маклаков, А.А. Пугачёв, М.А. Поспелова,

С.В. Соколов, С.В. Трунов

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Алгоритм вычисления функции передачи модуляции матричных фотоприемников и его реализация в среде MATLAB

Г.А. Иванова1, А.А. Пугачёв2

1 - ИППМ РАН, Зеленоград, г. Москва

2 - ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

 

 

сессия № 2

Семейство многоканальных КМОП микросхем первичного преобразования для гибридных фотоприемных устройств.

Д.В. Бородин1, Ю.В. Осипов1, В.В. Васильев2

1 -ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва
2 -ООО «РТК Инпекс», г. Мытищи

Особенности использования линейного фоточувствительного прибора с зарядовой связью ФПЗС14Л-А в аппаратуре «Осьминог-ТВ»

М.А. Майоров

ЗАО «МНИТИ», г. Москва

Современное состояние и области применения кремниевых твердотельных фотоэлектронных умножителей

С.Н. Клемин, Ю.В. Корнев, Л.А. Филатов

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Многоэлементные приёмники на основе кремниевых P-I-N фотодиодов

Л.А. Филатов, Е.А. Георгиевская, С.Н. Клёмин, А.А. Русанов

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Фотодиоды на основе p-InAsSbP/no-InAs/n+-InAs для работы в области температур 77−373 K

П.Н. Брунков1, Н.Д. Ильинская1, С.А. Карандашев1, Н.М. Латникова 2,
А.А. Лавров1
, Б.А. Матвеев1, А.С. Петров3, М.А. Ременный1,
Е.Н. Севостьянов
2, Н.М. Стусь1

1 - ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
2 - Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ), г. Санкт-Петербург
3 - ОАО «ЦНИИ «Электрон», г. Санкт-Петербург

Информационная безопасность в микроэлектронике: защита отечественных производителей от контрафактной продукции

Е.Н. Белов, А.И. Захаренков, А.А. Пономарев, А.В. Семенов, В.Н. Федорец

ФГУП «18 ЦНИИ» МО РФ, г. Москва

подведение итогов 1 дня работы секции № 2 (14докладов)

135

678

91011

1213

СЕКЦИЯ № 3

Вопросы качества и надежности при проектировании и производстве изделий твердотельной электроники

Руководители секции: д.т.н., профессор В.Ф. Синкевич,Л.М. Пазинич

Овальный (Вип) конференц-зал

сессия № 1

Метод оценки соответствия изделий твердотельной электроники требованиям по надежности на этапе разработки

В.Ф. Синкевич, Н.А. Махалова, А.В. Телец

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Опыт использования теоремы Байеса при проведении расчетно-экспериментальных оценок показателей надежности электронной компонентной базы в испытательном центре ОАО «РНИИ «Электронстандарт»

А.В. Батурин, А.И. Лоскот, В.Г. Малинин

ОАО «РНИИ «Электронстандарт», г. Санкт-Петербург

Анализ брака по тепловому сопротивлению с помощью аналитической структурной функции. Численное моделирование

Н.Л. Евдокимова, В.С. Ежов, К.А. Иванов

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Тепловой анализ полупроводниковых структур

Н.Л. Евдокимова, В.С. Ежов, В.Ф. Минин

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Моделирование тепловых режимов электронных компонентов

К.О. Петросянц

МИЭМ НИУ ВШЭ, г. Москва

Влияние электронного и гамма-излучений на статические характеристики кремниевых СВЧ биполярных транзисторов

К.О. Петросянц1, Д.С. Смирнов2, М.В. Кожухов1

1 - Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ, г. Москва

2 - ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

сессия № 2

Применение радионуклидных источников α-излучения для имитации нейтронного воздействия на интегральные микросхемы операционных усилителей

Э.Н. Вологдин, Д.В. Сидоров, В.Ф. Синкевич

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Учет эффекта релаксации упругих напряжений в приборно-технологической модели SiGe/SOI ГМОПТ

Е.В. Орехов1, А.А. Пугачёв2, Л.М. Самбурский1,3,
Р.А. Торговников1

1 - ИППМ РАН, г. Москва

2 - ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

3 - МИЭМ НИУ ВШЭ, г. Москва

Диагностический неразрушающий контроль ЭКБ. Вариации метода критического напряжения питания

И.Ю. Булаев

ОАО «Российские космические системы», г. Москва

Комплексный подход к автоматизации процессов проведения испытаний СВЧ МИС и модулей

Е.М. Савченко, М.В. Гладких, А.А. Мартынов, В.А. Сиомко

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

МГТУ МИРЭА, г. Москва

Испытательный стенд для АЦП И КМОП матрицы

П.А. Горбоконенко, К.А. Зинис, Е.Ф. Певцов

МГТУ МИРЭА, Центр проектирования интегральных схем,
устройств наноэлектроники и микросистем, г. Москва

Стенд для измерения амплитудно-частотных характеристик матричных и линейных ФПЗС

Р.И. Аль-Натах, А.С. Жебель, С.В. Завьялов

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Особенности испытаний на надежность полевых СВЧ GaN транзисторов

К.Н. Колпаков, А.Ю. Кирьянов

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

Организация проведения патентных исследований, как аналитической составляющей НИОКР

М.В. Елизарова, И.В. Краснова, И.А. Купцова, Е.П. Цыбина, Л.М. Швец

ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва

подведение итогов работы секции № 3 (14 докладов)

123

45

678

910

1112