ПРОГРАММА КОНФЕРЕНЦИИ

 

2 декабря 2010 г. (четверг)

 

сессия № 1,    10.00 – 14.00

 

10.00 – 10.05 – Открытие конференции.

Приветствие генерального директора

ОАО «НПП «Пульсар»

д.ф.-м.н., профессора А.Г. ВАСИЛЬЕВА

10.05 – 10.15 – О программе пребывания. О регламенте.

О конкурсе докладов молодых специалистов.

от организационного и программного комитетов

Зам. Председателя МНТОРЭС Н.Н. Смольская,

д.т.н., профессорВ.Ф. Синкевич

 

10.15 – 11.45 Секция № 1

СВЧ твердотельная электроника

Председатель секции – д.ф.-м.н., профессор А.Г. Васильев

Зам. председателя секции – д.т.н. Ю.В. Колковский

10.15 – 10.30

Малошумящие и мощные GaN НЕМТ на подложках SiC и Al2O3

А.Г. Васильев, Н.Б. Гладышева, А.А. Дорофеев, Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

10.30 – 10.45

Мощные кремниевые СВЧ LDMOS транзисторы (разработки ОАО «НПП «Пульсар»)

В.В. Бачурин, А.К. Бельков, С.С. Бычков, С.А. Ерохин, Т.Н. Пекарчук, С.М. Романовский

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

10.45 – 11.00

Усилители мощности КВЧ диапазона на гетероструктурах AlGaN/AlN/GaN/Сапфир

Ю.В. Федоров*, Д.Л. Гнатюк*, Р.Р. Галлиев*, М.Ю. Щербакова*, Ю.Н. Свешников**, И.Н. Цыпленков**

(* - ИСВЧПЭ РАН, г. Москва; ** - ЗАО «Элма-Малахит»-ДО ОАО «Концерн Энергомера», г. Зеленоград)

11.00 – 11.15

300-Ваттная ГИС устройства защиты Х-диапазона

И.М. Аболдуев, В.М. Вальд-Перлов, В.В. Вейц, А.О. Герасимов, В.М. Миннебаев, М.Н. Мочалов

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

11.15 – 11.30

Монолитная интегральная схема двухкаскадного СВЧ усилителя мощности L диапазона частот на основе кремниевых транзисторов

А.С. Будяков, Е.М. Савченко

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

11.30 – 11.45

МИС ультраширокополосных УМ диапазона частот 0.01-4 ГГц на гетероструктурах AlGaN/GaN/Сапфир

Ю.В. Федоров*, Д.Л. Гнатюк*, В.И. Пьянов**, Ю.Н. Свешников***, И.Н. Цыпленков***

(* - ИСВЧПЭ РАН, г. Москва; ** - НИИИС им.Седакова, г.Нижний Новгород; *** - ЗАО «Элма-Малахит»-ДО ОАО «Концерн Энергомера», г.Зеленоград)

11.45 – 12.00 Перерыв

12.00 – 12.15

Состояние и перспективы развития Si и SiGe СВЧ МИС в диапазоне частот до 5 ГГц

А.С. Будяков, А.В. Вагин, И.А. Завьялов, А.Д. Кузьмин, С.А. Мельничук, А.Д. Першин, Е.М. Савченко

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

12.15 – 12.30

Монолитный малошумящий усилитель диапазона 30-37,5 ГГц на P-НЕМТ гетероструктуре на подложке GaAs

Д.Л. Гнатюк, Ю.В. Федоров, Г.Б. Галиев, Р.Р. Галиев, М.Ю. Щербакова

(ИСВЧПЭ РАН, г. Москва)

12.30 – 12.45

Передатчик для наземных станций ВРЛ УВД двойного назначения

Е.Г. Вишневский, Д.С. Глебов, Д.А. Евстигнеев

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

12.45 – 13.00

Исследование оптоэлектронного преобразователя частоты сигналов СВЧ диапазона

М.Е. Белкин, Л.М. Белкин(МИРЭА (ТУ), г. Москва)

13.00 – 13.15

Исследование шумовых характеристик оптоэлектронного генератора СВЧ сигналов

М.Е. Белкин, А.В. Лопарев (МИРЭА (ТУ), г. Москва)

13.15 – 13.30

Выходной модуль задающего генератора Х-диапазона для перспективных БРЛС

И.С. Корнилов, Ю.А. Кузьмин, В.С. Тяжлов

(ЗАО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон», г. Саратов)

13.30 – 13.45

Восьмиканальный мощный передающий модуль S-диапазона

Р.М. Григорян, Д.А. Евстигнеев, А.С. Евстигнеев

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

13.45 – 14.00

Модернизация мощного модуля бортовой АФАР L-диапазона

Д.А. Евстигнеев, В.Л. Аронов, А.С. Евстигнеев, А.А. Подадаева, С.А. Поляков

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

14.00 – 14.30 Обеденный перерыв

сессия № 2,    14.30 – 19.15

14.30 – 16.00 Секция № 1 (продолжение)

СВЧ твердотельная электроника

Председатель секции - д.ф.-м.н., профессор А.Г. Васильев

Зам. председателя секции - д.т.н. Ю.В. Колковский

14.30 – 14.45

Групповой приемопередающий модуль АФАР Х-диапазона для бортовых РЛС

Э.А. Семёнов, А.В. Бутерин, А.В. Иванов, А.В. Езопов

(ЗАО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон», г. Саратов)

14.45 – 15.00

СВЧ модули Х-диапазона с выходной мощностью до 5 кВт на GaN и GaAs НЕМТ

А.Г. Васильев, Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев, И.М. Аболдуев, А.А. Глыбин, В.А. Абарыкин, А.В. Тихомиров, К.А. Иванов

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

15.00 – 15.15

Приемопередающие модули мм-диапазона для датчиков и систем ближней радиолокации

Е.А. Монастырев (ОАО «НИИПП», г. Томск)

15.15 – 15.30

4-х канальный суммарно-разностный приемник Х-диапазона

Ю.В. Колковский, А.В. Перевезенцев, В.М. Миннебаев, В.А. Александров, Г.В. Легай

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

15.30 – 15.45

4-х канальный ППМ для АФАР С-диапазона

Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев, А.В. Перевезенцев, А.А. Глыбин, Ал.В. Редька, Ан.В. Редька

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

15.45 – 16.00

Возможности применения МППУ в системах опознавания подвижных объектов

А.В. Степашкин (ФГУП ГРПЗ, г. Рязань)

Подведение итогов работы секции № 1

 

 

16.00 – 18.15 Секция № 2

Микро-, фото- и силовая электроника

Председатель секции – к.т.н. М.М. Крымко

Зам. председателя секции Е.М. Савченко

16.00 – 16.15

Каскадные дифференциальные усилители с цепями собственной компенсации импедансов коллекторной нагрузки

Н.Н. Прокопенко, П.С. Будяков, А.И. Серебряков

(ЦИПБ РАН и ЮРГУЭС, г. Шахты)

16.15 – 16.30

Особенности создания  крупноформатных линейных и матричных фоточувствительных приборов с зарядовой связью с учетом существующих технологических ограничений

Е.В. Костюков, А.М. Маклаков, А.С. Скрылев

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

16.30 – 16.45

Исследование характеристик фотоприемного устройства видимого диапазона на основе матричного фоточувствительного прибора с зарядовой связью, работающего в режиме ВЗН

А.М. Маклаков, В.Ю. Ноженко, А.С. Скрылев

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

16.45 – 17.00

ЛФППЗ с числом элементов 12000 и фотодиодами 6,5×6,5 мкм для сканирующих систем. Фотоэлектрические параметры ЛФППЗ с числом элементов 2600 на основе обедненных диодов с протяженной апертурой

О.В. Алымов, В.А. Арутюнов, Н.Г. Богатыренко, Е.Ю. Илисавская,  Г.В. Левко, Т.А. Карпачева, А.Е. Прокофьев

(ЦНИИ «Электрон», г. Санкт-Петербург)

17.00 – 17.15

Устройство контроля инфракрасных гибридных глубокоохлаждаемых фотоприемников в низкофоновых условиях в составе самолетного ИК-демонстратора

Д.И. Гаранович, Ю.И. Завадский, С.И. Мякин, В.В. Чернокожин

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

17.15 – 17.30

Кремниевые УФ фотоприемники с низкой чувствительностью к видимому и ближнему ИК диапазонам

В.В. Гаврушко*, А.С. Ионов**, В.А. Ласткин*

(* - НГУ им. Ярослава Мудрого, г. Великий Новгород, ** - ОАО «ОКБ-ПЛАНЕТА», г. Великий Новгород)

17.30 – 17.45

Тепловые приемники с термочувствительным слоем из пленки VO2

А.С. Олейник*, Д.М. Маслов*, С.В. Васильковский**

(* - Саратовский ГТУ, ** - ЗАО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон», г. Саратов)

17.45 – 18.00

КМОП мультиплексоры от 1х64 до 640х512 ячеек для гибридных и монолитных фотоприемных устройств: достижения и перспективы

Д.В. Бородин, Ю.В. Осипов

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

18.00 – 18.15

Исследование влияния на пробивное напряжение конструкции и технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов с учётом поверхностного заряда

А.П. Ледовских, А.Н. Максимов, М.М. Крымко

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

Подведение итогов работы секции № 2

 


18.15 – 19.15 Стендовые доклады

1.    Особенности технологии самосовмещения при построении комплементарных биполярных транзисторов

Д.Г. Дроздов, Е.М. Савченко (ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

  1. Мощный GaN/SiC НЕМТ с шириной затвора 4,6 мм

А.Г. Васильев, Н.Б. Гладышева, А.А. Дорофеев, Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

3.    500-Ваттный GaN СВЧ модуль класса «система в корпусе» Х-диапазона

А.Г. Васильев, Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев, В.А. Абарыкин, А.В. Тихомиров, К.А. Иванов

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

4.    Модулятор питания для GaN СВЧ усилителя мощности

Ю.В. Колковский, А.А. Глыбин, О.В. Борисов, А.М. Ивко

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

5.    70-Ваттная ГИС ограничителя мощности S-диапазона

В.М. Вальд-Перлов, В.В. Вейц, А.О. Герасимов, В.М. Миннебаев, М.Н. Мочалов

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

6.    МИС ограничителя СВЧ мощности на GaAs PIN диодах

В.М. Вальд-Перлов, В.В. Вейц, А.М. Зубков, А.В. Черных

(ОАО «НПП» Пульсар», г. Москва)

7.    СВЧ переключающие SiC диоды для высокотемпературных применений

В.М. Вальд-Перлов, Н.Б. Гладышева, А.А. Дорофеев, А.В. Черных, С.В. Черных, А.В. Сиделев, Д.Б. Капров, А.О. Герасимов, В.М. Миннебаев

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

8.    Балансный КМОП смеситель диапазона 1,5 ГГц

С.А. Тихонов, А.Г. Севастьянов, В.Н. Ссорин, Р.О. Масленников, А.А. Артеменко

(ННГУ им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород)

9.    28-канальный (4х7) коммутатор сигналов СВЧ–диапазона

А.В. Бутерин, М.Б. Железнов

(ЗАО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон», г. Саратов)

10.GaAs МИС двухпозиционного переключателя DC-2,5 ГГц в SO-8 пластиковом корпусе

В.С. Арыков, А.М. Гаврилова, О.А. Дедкова, А.С. Кривчук

(ОАО «НИИПП», г. Томск)

11.Твердотельный широкополосный генератор шума Х-диапазона

И.М. Аболдуев, К.С. Вепринцев, А.О. Герасимов, В.М. Миннебаев

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

12.Исследования влияния толщины барьерного слоя гетероструктур AlGaN/AlN/GaN/Сапфир на параметры НЕМТ КВЧ диапазона

Ю.В. Федоров*, Д.Л. Гнатюк*, Р.Р. Галлиев*, М.Ю. Щербакова*, Ю.Н. Свешников**, И.Н. Цыпленков**

* - (ИСВЧПЭ РАН, г. Москва; ** - ЗАО «Элма-Малахит»-ДО ОАО «Концерн Энергомера», г. Зеленоград)

13.Опыт конструирования СВЧ модулей с использованием многослойных СВЧ плат

К.А. Разумихин, И.В. Федоров

(ЗАО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон», г. Саратов)

14.Разработка многорежимного малошумящего СВЧ генератора-синтезатора частот сантиметрового и дециметрового диапазонов «Орган-2М» на современных радиоэлектронных компонентах

В.Н. Посадский, О.М. Савинов, В.Н. Козлова

(ЗАО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон», г. Саратов)

15.Приемо-передающий модуль АФАР Х-диапазона

И.Б. Базин (НПЦ «СПУРТ», г. Москва)

16.  Оптимизация конструктивных и электрофизических параметров затворного узла генераторных СВЧ LDMOS транзисторов

В.В. Бачурин, С.С. Бычков, С.А. Ерохин, С.М. Романовский

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

17.О перспективах использования методов и средств микроволновой фотоники в сверхширокополосной радиолокации

А.М. Мандрик (ОАО «ЦКБА», г. Омск)

18.Адаптивная пространственная обработка сигналов в системах вторичной радиолокации на основе ППУМ

А.В. Мордовин (ФГУП ГРПЗ, г. Рязань)

19.Интегральный антенный элемент для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц

О.С. Матвеенко, Д.Л. Гнатюк, Ю.В. Федоров

(ИСВЧПЭ РАН, г. Москва)

20.Виброзащищенный СВЧ генератор с диэлектрическим резонатором

А.А. Глыбин, А.М. Ивко, Л.В. Маруженко

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

21.Перспективы применения тонкопленочных магниторезистивных наноструктур в многокристальных беспроводных МЭМС

В.В. Амеличев*, В.В. Аравин**, В.Д. Вернер*, А.А. Резнев**, И.А. Решетников*

(* - НПК «Технологический центр» МИЭТ, г. Москва;** - ГУ Войсковая часть 35533, г.Железнодорожный)

22. Метод повышения коэффициента усиления каскадов с общим эмиттером в аналоговых микросхемах с низковольтным питанием

Н.Н. Прокопенко, А.И. Серебряков, П.С. Будяков

(ЦИПБ РАН и ЮРГУЭС, г. Шахты)

23. Электрофизические характеристики МОП конденсаторов на основе тонких слоев нитрида кремния

О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич, В.А. Солодуха, А.А. Сидерко, В.Я. Филипеня

(ОАО «Интеграл», г. Минск, Республика Беларусь)

24. Двумерные модели структур фотоприемных ячеек с устройством антиблуминга

А.А. Пугачев, А.А. Тубаев (ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

25. Аппаратно-программный комплекс для экспериментальных исследований приборов с зарядовой связью

Е.Ф. Певцов*, М.Е. Гусев*, К.А. Зинис*, И.В. Хмельницкий*, В.В. Чернокожин**

(* - МИРЭА, ** - ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

26. Прогнозирование изменения коэффициента передачи тока при облучении биполярных транзисторов нейтронами

Э.Н. Вологдин, Д.С. Смирнов (ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

27. особенности проведения испытаний на надежность интегральных схем СВЧ диапазона частот

К.Н. Колпаков, И.А. Сысоев (ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

28. Создание высокоуровневых spice и bsim моделей полупроводниковых элементов средствами САПР Cadence IC's и ISE TCAD.

В.А. Володин, А.Н. Ростанин, А.Г. Христьяновский, И.Е. Шумков

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

29. Оценка возможности использования дрейфово-диффузионного приближения для создания физической модели AlGaN/GaN HEMT

К.Ю. Осипов, Л.Э. Великовкий («НИИСЭС» ТУСУР, г. Томск)

30. Особенности лазерной подгонки параметров операционных усилителей

А.А. Алексанин, Р.Н. Виноградов, С.В. Корнеев, Д.Л. Ксенофонтов

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

31. Совершенствование технологического процесса монтажа поликоровых плат для модулей СВЧ

А.Х. Давыдов, А.В. Жмылев, А.А. Онуфрийчук, Н.А. Павлюк-Мороз, Г.И. Садыгина, А.А. Анисьина

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

32. Применение имплантации ионов кремния для формирования структурно-совершенных слоев кремния на сапфире

А.И. Чепель, Е.Л. Шоболов, В.А. Герасимов

(ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», г. Нижний Новгород)

33. Анализ концентрационных и температурных зависимостей подвижности электронов для установления доминирующих механизмов рассеяния электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN

Д.Ю. Протасов, Т.В. Малин, А.В. Тихонов, К.С. Журавлев

(ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)

34. Применение сканирующей электронной микроскопии для контроля гетероэпитаксиальных структур и технологических процессов изготовления транзисторов на их основе

Ф.М. Барышников**, А.А. Зайцев*, Ю.А. Концевой**

(* - МИРЭА, ** - ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

35.   Автоматизированный измерительный комплекс статических параметров n-канальных полевых транзисторов

В.В. Леонидов, Р.М. Григорян, И.Б. Гуляев

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

 

 

19.15 – 19.30

Подведение творческих итогов работы

1-го дня работы конференции.

 

 


 

3 декабря 2010 г. (пятница)

 

сессия № 3,    10.00 – 14.00

 

10.00 - 12.00Секция № 3

Вопросы качества и надежности

при проектировании и производстве

изделий твердотельной электроники

Председатель секции– д.т.н., профессорВ.Ф. Синкевич

Зам. председателя секции А.А. Пронин

 

10.00 – 10.15

Разработка оснастки для измерения СВЧ параметров в процессе испытаний для организации серийного производства МИС СВЧ в безвыводных корпусах

А.В. Вагин, А.А. Пронин, Е.М. Савченко

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

10.15 – 10.30

Технология испытаний интегральных схем многоразрядных фазовращателей и аттенюаторов для систем АФАР СВЧ диапазона.

В.В. Елесин1,2, Г.Н. Назарова2, Г.В. Чуков1,2, Н.А. Усачев1

(1 -Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2 - ОАО «ЭНПО СПЭЛС», г. Москва)

10.30 – 10.45

Требования Роскосмоса к электронной компонентной базе космических применений и порядок подтверждения стойкости к ионизирующим излучениям космического пространства

В.С. Анашин (ОАО «НИИ КП», г. Москва)

10.45– 11.00

Исследование пространственного распределения радиационных дефектов и изменения электрофизических параметров кремния при облучении α-частицами радионуклидных источников

Э.Т. Аврасин, Э.Н. Вологдин, И.Я. Гантман, Д.В. Сидоров

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

11.00 – 11.15

Вопросы моделирования гетероструктур, транзисторов и диодов Шоттки на основе широкозонных полупроводников.

А.А. Дорофеев, Д.Г. Дроздов, Е.М. Савченко, А.В. Черных

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

11.15 – 11.30

Моделирование саморазогрева в полевом транзисторе с AlGaN/GaN гетеропереходом

В.О. Турин*, Г.И. Зебрев**, А.А. Дорофеев***

(* - Орловский ГТУ; ** - НИЯУ «МИФИ», г. Москва; *** - ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

11.30 – 11.45

Модельный анализ и параметрический синтез при проектировании мощного СВЧ транзисторного каскада

И.В. Коренков, В.Л. Аронов, Р.М. Григорян, А.А. Евстигнеев

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

11.45 – 12.00

Калибровка параметров расчетных моделей для проектирования и оптимизации гетероструктур на основе GaAs

Е.Ю. Днестранская**, К.В. Дудинов**, В.Г. Тихомиров*, А.М. Емельянов**, А.Ю. Городецкий**

(* - ЛЭТИ, г. С.-Петербург; ** - ФГУП «НПП «Исток», г. Фрязино)

Подведение итогов работы секции № 3

 

 

12.00 - 14.00Секция № 4

Материалы, технологии и оборудование

для разработки и производства изделий

твердотельной электроники

Председатель секции - д.т.н., Ю.В. Колковский

Зам. председателя секции - д.т.н., профессор Ю.А. Концевой

12.00 – 12.15

Производство подложек для эпитаксии III-N материалов

Т.Ю. Чемекова, Д.П. Литвин, А.В. Васильев, О.В. Авдеев, С.С. Нагалюк, С.Ю. Курин, А.Д. Роенков, И.С. Бараш, Ю.Н. Макаров

(«Группа компаний «Нитридные кристаллы», г. Санкт-Петербург)

12.15 – 12.30

Гетероэпитаксиальные структуры на основе GaN: состояние и перспективы разработки и производства

А.А. Арендаренко, Ю.Н. Свешников, И.Н. Цыпленков

(ЗАО «Элма-Малахит»-ДО ОАО «Концерн Энергомера», г. Зеленоград)

12.30 – 12.45

Особенности формирования гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN для СВЧ транзисторов на различных подложках

А.А. Арендаренко, И.Г. Ермошин, В.А. Орешкин, Ю.Н. Свешников, И.Н. Цыпленков

(ЗАО «Элма-Малахит»-ДО ОАО «Концерн Энергомера», г. Зеленоград)

12.45 – 13.00

Технология создания AlGaN/GaN/Si HEMT с длиной затвора 150 нм

К.Ю. Осипов (ЗАО «НПФ «Микран», г. Томск)

13.00 – 13.15

Поляризационный метод контроля дефектов гетероструктур AlN/GaN/SiC

Б.Л. Гуськов, Ю.А. Концевой (ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

13.15 – 13.30

«Интеллектуальные» покрытия на основе пористого анодного оксида алюминия

Г.Г. Горох*, И.А. Обухов**, Д.В. Соловей*

(* - БГУИР, г. Минск, Беларусь;** -  «Гелиос Компьютер», г. Москва, Россия)

13.305 – 13.45

Программно-аппаратный комплекс автоматизированного измерения параметров мощных многоканальных радиочастотных передающих модулей

Р.М. Григорян, Г.С. Колчин, В.В. Леонидов, И.Б. Гуляев

(ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

13.45 – 14.00

Подведение итогов работы секции № 4

 

14.00Подведение творческих итогов работы и закрытие конференции.