Проектирование аналоговых и СВЧ ИМС с изготовлением опытных образцов

Полный цикл проектирования:

  • разработка схемотехники
  • проектирование топологии с контролем технологических допусков и проверкой соответствия схемы и топологии
  • моделирование ИМС с учетом паразитных параметров топологии (R и C)
  • анализ электромагнитных параметров корпуса ИМС, создание модели корпуса ИМС с возможностью ее интеграции в библиотеки различных САПР.
  • моделирование параметров ИМС с учетом паразитных параметров корпуса
  • изготовление опытных образцов, измерительной оснастки и выполнение измерений
Примером проектирования интегральных микросхем с проведением полного цикла разработки, изготовления и испытаний является серия СВЧ МИС 1324.

1

2

Разработка и создание моделей пассивных СВЧ элементов (трансформаторы, индуктивности, полосковые элементы) под конкретный техпроцесс (МИС, ГИС, LTCC, печатные платы), с последующей интеграцией в библиотеки различных САПР.

3

Электромагнитное моделирование топологии СВЧ монолитных ИМС. Моделирование характеристик СВЧ ИМС с учетом полученных паразитных параметров топологии

Анализ тепловых режимов  работы модулей, ИМС и полупроводниковых приборов

Возможности измерения параметров:

  • S-параметров до 20 ГГц;
  • анализ спектра сигнала до 1 ГГц;
  • вольтамперных характеристик;
  • временных характеристик сигналов в полосе частот до 3,5 ГГц.