Разработка элементов ИМС

Разработка, проектирование и оптимизация полупроводниковых приборов и элементов ИМС, а также технологии их изготовления, на основе наиболее распространённых полупроводниковых материалов Si, Ge, SiGe, GaAs, GaN.

Расчёт параметров процессов диффузии, имплантации, окисления, осаждения, травления;

7

Оптимизация топологических размеров элементов ИМС;
 
8

Расчёт статических и динамических характеристик полупроводниковых приборов различного типа;

9

Экстракция параметров моделей разрабатываемых транзисторов;

10

Разработка подходов к моделированию физических процессов происходящих в приборах.