Разработка элементов ИМС
Разработка, проектирование и оптимизация полупроводниковых приборов и элементов ИМС, а также технологии их изготовления, на основе наиболее распространённых полупроводниковых материалов Si, Ge, SiGe, GaAs, GaN.
Расчёт параметров процессов диффузии, имплантации, окисления, осаждения, травления;
Оптимизация топологических размеров элементов ИМС;
Расчёт статических и динамических характеристик полупроводниковых приборов различного типа;
Экстракция параметров моделей разрабатываемых транзисторов;
Разработка подходов к моделированию физических процессов происходящих в приборах.