Сборка полупроводниковых приборов

Отдел сборки дискретных полупроводниковых приборов, интегральных схем, комлексированных изделий:

Отдел создан в  1980 г.
Специалисты отдела оказывают услуги по разработке конструкции и технологии сборки
дискретных приборов ( диодов, СВЧ-транзисторов), гибридных интегральных схем,
комплексированных изделий.
Возможности отдела позволяют организовать как  выпуск  мелкосерийных партий
изделий РЭА, так и выпуск отдельных экспериментальных образцов.    
В отделе выполняются следующие сборочные операции:

1.  Монтаж Si  и  GaAs  кристаллов:

  • клеевой монтаж кристаллов с использованием токопроводящих, теплопроводных клеев и лаков;
  • эвтектическая пайка кристаллов.


2.  Все виды проволочного монтажа:

  • ультразвуковая сварка Al проволоки 27- 60 мкм;
  • термоультразвуковая сварка Аи проволоки 15-50 мкм;
  • термокомпрессионная сварка  Al  проволоки  от 27мкм  и Аи проволоки от 15 мкм соответственно;
  • микроконтактная сварка различных материалов:
  • биметаллической проволоки 100- 200 мкм;
  • медной фольги толщиной 18 –20 мкм;
  • медной золоченой фольги  толщиной 18 –20 мкм;
  • золотой фольги.


3.  Пайка на  подложки (поликор,  ситалл, стеклотекстолит, ФАФ и др. материалы) различных  навесных элементов.

4.  Пайка собранных ГИС на металлические основания с различными покрытиями с использованием ступенчатой технологии  пайки.

5.  Пайка  разъемов различных типов   в корпуса  комплексированных изделий.

6.  Герметизация кристаллов п\п приборов с использованием кремнийорганических эмалей и лаков.

7.  Специалисты отдела имеют  большой  опыт по  разработке конструкции,    технологии и выпуску  фотоприемных устройств различного применения

Начальник отдела     Апостолова Екатерина Михайловна  тел.366-61-44